SIHG80N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 380 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 80A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 80A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 100V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 40A, 10V |
| Series | EF |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
| Power Dissipation | 520Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | EF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 520Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet SIHG80N60EF-GE3
pdf, 134 КБ
Документация
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
