IHW30N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

960 руб.

от 3 шт. — 860 руб.

от 6 шт. — 806 руб.

от 12 шт. — 761 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 960 руб.

Номенклатурный номер: 8009044846

Артикул: IHW30N120R5XKSA1

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт

Корпус	TO-247
Channel Type	N
Collector Current (DC)	60(A)
Configuration	Single
Gate to Emitter Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Through Hole
Operating Temperature (Max)	175C
Operating Temperature (Min)	-40C
Operating Temperature Classification	Automotive
Package Type	TO-247
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3+Tab
Rad Hardened	No
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	25V
Maximum Power Dissipation	330 W
Number of Transistors	1
Transistor Configuration	Single
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	60А
Power Dissipation	330Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	8