Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › WeEn › PHE13009/DG,127, Bipolar Transistors - BJT ...

PHE13009/DG,127, Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

74 шт., срок 6-8 недель

250 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009090093

Артикул: PHE13009/DG,127

Бренд: WeEn Semiconductors

Описание

PHE13009 является высоковольтным, высокоскоростным, кремниевым NPN силовым транзистором 400В для использования в электронных ВЧ балластах освещения, преобразователях, инверторах, импульсных стабилизаторах и системах управления двигателем.

• Температура перехода 150°C
• Возможность работы с высокими напряжениями
• Низкое тепловое сопротивление
• Низкие потери проводимости из-за низкого сопротивления в рабочем состоянии

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	400В
Continuous Collector Current	12А
DC Current Gain hFE Min	40hFE
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Power Dissipation	80Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Вес, г	1.95