BFP193WH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
77 руб.
от 10 шт. —
67 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Электроэлемент
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:580mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Automotive Qualification Standard | AEC-Q101 |
| Collector-Base Voltage (Vcbo) | 20 V |
| Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 12 V |
| Continuous Collector Current (Ic) | 80 mA |
| DC Current Gain (hFE) | 100 |
| Emitter-Base Voltage (Vebo) | 2 V |
| Mounting Type | SMD |
| MSL | Level-1 |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Package Type | SOT-343 |
| Packaging | Tape & Reel |
| Pins | 4 |
| Power Dissipation (Pd) | 580 mW |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transit Frequency | 8 GHz |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.048 |
Техническая документация
Datasheet BFP193WH6327XTSA1
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
