YJSD12N03A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10465 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 194 шт.
от 442 шт. —
15 руб.
от 1858 шт. —
12.43 руб.
Добавить в корзину 194 шт.
на сумму 3 298 руб.
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | soic8 | |
| кол-во в упаковке | 4000 | |
| Case | SOP8 | |
| Drain current | 9.6A | |
| Drain-source voltage | 30V | |
| Gate charge | 23.6nC | |
| Gate-source voltage | ±20V | |
| Kind of channel | enhanced | |
| Kind of package | reel, tape | |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY | |
| Mounting | SMD | |
| On-state resistance | 15mΩ | |
| Polarisation | unipolar | |
| Power dissipation | 2.5W | |
| Pulsed drain current | 50A | |
| Technology | TRENCH POWER LV | |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 | |
| Вес, г | 0.201 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1142 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
