G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
374 шт., срок 6 недель
8 710 руб.
от 3 шт. —
7 520 руб.
от 10 шт. —
7 300 руб.
от 30 шт. —
6 451.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 710 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 43A |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Gate charge | 182nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 45mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 438W |
| Pulsed drain current | 160A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.21 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 867 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288127.jpg)
![Транзистор 2SK1271, тип N, 240 Вт, корпус TO-3P[N] ,NEC](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC011125892.jpg)
