BUK9M15-60EX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
от 116 шт. —
58 руб.
от 488 шт. —
51.04 руб.
Добавить в корзину 51 шт.
на сумму 3 570 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Диоды и сборки выпрямительные
Описание Диоды и сборки выпрямительные
Технические параметры
кол-во в упаковке | 1500 |
Continuous Drain Current (Id) | 47A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12.5mΩ@5V, 10A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.7V@1mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.677nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 75W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 85pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@5V |
Type | N Channel |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1500 |
Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | LFPAK-33-8 |
Part # Aliases: | 934070048115 |
Pd - Power Dissipation: | 75 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
Вес, г | 0.131 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 723 КБ
Datasheet BUK9M15-60EX
pdf, 724 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды выпрямительные»
Типы корпусов импортных диодов