IRLR2905TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
119 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 Ом/25А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Крутизна характеристики, S | 21 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 312 КБ
Datasheet IRLR2905TRPBF
pdf, 321 КБ
Datasheet IRLR2905, IRLU2905
pdf, 300 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают