IRF9Z14PBF, Транзистор полевой P-канальный 60В 6.7A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 11 шт. — 230 руб.

от 21 шт. — 208 руб.

от 50 шт. — 195 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8009351858

Артикул: IRF9Z14PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 60В 6.7A

Корпус	TO-220AB
Base Product Number	IRF9 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	6.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 4A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.7 A
Maximum Drain Source Resistance	500 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	43 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	12 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Transistor Polarity	P Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	2.67