IRFSL11N50APBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 11A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 7 шт. — 140 руб.

от 13 шт. — 129 руб.

от 26 шт. — 124 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 480 руб.

Номенклатурный номер: 8009351860

Артикул: IRFSL11N50APBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 500В 11A

Корпус	TO-262-3
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	190 W
Qg - заряд затвора	51 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.65 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRFSL
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Ширина	4.83 mm
Вес, г	1.57