IRLU014PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 19 шт. —
43 руб.
от 38 шт. —
39 руб.
от 75 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Технические параметры
Корпус | TO-251AA | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | IPAK(TO-251) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
Width | 2.39mm | |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 809 КБ
Datasheet
pdf, 2160 КБ
Datasheet IRLU014PBF
pdf, 798 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары