PMV30UN2R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 97 шт.
Добавить в корзину 97 шт.
на сумму 1 455 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PMV30UN2R)
Технические параметры
Корпус | sot23 | |
кол-во в упаковке | 1 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.2A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 490mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 32mО© @ 4.2A,4.5V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA | |
Case | SOT23, TO236AB | |
Drain current | 2.7A | |
Drain-source voltage | 20V | |
Gate charge | 11nC | |
Kind of channel | enhanced | |
Kind of package | reel, tape | |
Manufacturer | NEXPERIA | |
Mounting | SMD | |
On-state resistance | 50mΩ | |
Polarisation | unipolar | |
Pulsed drain current | 18A | |
Type of transistor | N-MOSFET | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Lead Finish | Tin | |
Max Processing Temp | 260 | |
Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
Maximum Gate Source Voltage | 12 V | |
Operating Temperature | -55 to 150 °C | |
RDS-on | 32@4.5V mOhm | |
Typical Fall Time | 10 ns | |
Typical Rise Time | 26 ns | |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet PMV30UN2R
pdf, 726 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов