PMV30UN2R

PMV30UN2R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 97 шт.
Добавить в корзину 97 шт. на сумму 1 455 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8009374133
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB T/R - Tape and Reel (Alt: PMV30UN2R)

Технические параметры

Корпус sot23
кол-во в упаковке 1
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 4.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 490mW
Rds On - Drain-Source Resistance 32mО© @ 4.2A,4.5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Vgs - Gate-Source Voltage 900mV @ 250uA
Case SOT23, TO236AB
Drain current 2.7A
Drain-source voltage 20V
Gate charge 11nC
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer NEXPERIA
Mounting SMD
On-state resistance 50mΩ
Polarisation unipolar
Pulsed drain current 18A
Type of transistor N-MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Lead Finish Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Continuous Drain Current 5.4 A
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage 12 V
Operating Temperature -55 to 150 °C
RDS-on 32@4.5V mOhm
Typical Fall Time 10 ns
Typical Rise Time 26 ns
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet PMV30UN2R
pdf, 726 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов