DS1312S-2+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 500 руб.
от 10 шт. —
3 890 руб.
от 25 шт. —
3 490 руб.
от 100 шт. —
2 857.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 500 руб.
Описание
Converts CMOS SRAM into nonvolatile memory Unconditionally write-protects SRAM when VCC is out of tolerance
Технические параметры
Maximum Backup Cell Voltage | 6V |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Propagation Delay Time | 10ns |
Minimum Operating Supply Voltage | 4.5 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SO |
Pin Count | 8 |
Width | 4mm |
Write Protect Control | Yes |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 500 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем