SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
![Фото 1/7 SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 руб.
от 100 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 72 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 4,5А, 1,3Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042Ом/4.3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet Si2318CDS-T1-GE3
pdf, 236 КБ
Datasheet Si2318CDS
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
