BSS84AK.215
![Фото 1/4 BSS84AK.215](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC034506917.jpg)
5 руб.
4 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -50В, -120мА, 420мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | to236 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 180mA | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 100mA,10V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 180 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 420 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.26 nC @ 5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.181 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары