APT44F80L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 880 руб.
от 3 шт. —
5 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 880 руб.
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Drain current | 29A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate charge | 305nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.21Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1135W |
| Pulsed drain current | 173A |
| Technology | POWER MOS 8® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 9.81 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
