IPA95R1K2P7XKSA1

Фото 1/2 IPA95R1K2P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
640 руб.
от 2 шт.520 руб.
от 5 шт.445 руб.
от 10 шт.412.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8009573154

Описание

Электроэлемент
MOSFET, 950V, 6A, 150DEG C, 27W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(on):1.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 6(A)
Drain-Source On-Volt 950(V)
Gate-Source Voltage (Max) 20(V)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TO-220FP
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Polarity N
Power Dissipation 27(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 6 A
Maximum Drain Source Resistance 0.12 Ω
Maximum Drain Source Voltage 950 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Series CoolMOS P7
Drain Source On State Resistance 1.03Ом
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции CoolMOS P7
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 950В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 27Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1.03Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Вес, г 0.256

Техническая документация

Datasheet IPA95R1K2P7
pdf, 1087 КБ
Datasheet IPA95R1K2P7XKSA1
pdf, 1207 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов