IPA95R1K2P7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 2 шт. —
520 руб.
от 5 шт. —
445 руб.
от 10 шт. —
412.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, 950V, 6A, 150DEG C, 27W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(on):1.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 6(A) |
Drain-Source On-Volt | 950(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-220FP |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 27(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.12 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Series | CoolMOS P7 |
Drain Source On State Resistance | 1.03Ом |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
Непрерывный Ток Стока | 6А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 27Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.03Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Вес, г | 0.256 |
Техническая документация
Datasheet IPA95R1K2P7
pdf, 1087 КБ
Datasheet IPA95R1K2P7XKSA1
pdf, 1207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов