2ED2109S06FXUMA1

Фото 1/3 2ED2109S06FXUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
670 руб.
от 2 шт.600 руб.
от 10 шт.538 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.
Номенклатурный номер: 8009701047

Описание

Электроэлемент
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 0.625 W
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 100 ns
Время спада 35 ns
Выходной ток 230 mA, 650 mA
Другие названия товара № 2ED2109S06F SP001710062
Задержка распространения - макс. 1030 ns
Категория продукта Драйверы для управления затвором
Количество выходов 2 Output
Количество драйверов 2 Driver
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное время задержки включения 1030 ns
Максимальное время задержки выключения 300 ns
Напряжение питания - макс. 20 V
Напряжение питания - мин. 10 V
Отключение Shutdown
Подкатегория PMIC - Power Management ICs
Продукт IGBT, MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания 450 uA
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип High Side, Low Side
Тип логики CMOS, LSTTL
Тип продукта Gate Drivers
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок DSO-8
Чувствительный к влажности Yes
IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 200нс
Задержка по Входу 740нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальное Напряжение Питания 10В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Тип переключателя питания IGBT, MOSFET
Ток истока 290мА
Ток стока 700мА
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Fall Time 80ns
Output Current 290 mA
Package Type DSO
Pin Count 8
Supply Voltage 20V
Вес, г 0.3324

Техническая документация

Datasheet
pdf, 938 КБ
Datasheet
pdf, 1644 КБ
Datasheet
pdf, 1656 КБ
Документация
pdf, 1384 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем