N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin PW Mold 2SK3669(Q)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 6 недель
210 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 050 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PW Mold |
| Pin Count | 3 |
| Series | 2SK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Width | 5.5mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
