GT30J121, GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт., срок 7 недель
1 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 510 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 170 W |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-3P |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet GT30J121
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.