IXYN100N120B3H1, IXYN100N120B3H1 IGBT, 165 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 100 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 165 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 690 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Switching Speed | 5 → 30kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXYN100N120B3H1
pdf, 174 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ
