NGB8207ABNT4G, NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 шт., срок 7 недель
760 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 800 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 365 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±15V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 165 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
