Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Diodes › ZXMN3A01ZTA, N-Channel MOSFET, 3.3 A, 30 V ...

ZXMN3A01ZTA, N-Channel MOSFET, 3.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-89 Diodes Inc ZXMN3A01ZTA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

Кратность заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 4 000 руб.

Номенклатурный номер: 8009836123

Артикул: ZXMN3A01ZTA

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

МОП-транзистор 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	0.95V
Maximum Continuous Drain Current	3.3 A
Maximum Drain Source Resistance	180 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.12 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-89
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	5 nC @ 10 V
Width	2.6mm
Id - непрерывный ток утечки	3.3 A
Pd - рассеивание мощности	970 mW
Qg - заряд затвора	5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.1 ns
Время спада	3.6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXMN3A
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	13.5 ns
Типичное время задержки при включении	2.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	186pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-243AA
Power Dissipation (Max)	970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 2.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-89
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250ВµA
Automotive	No
Configuration	Single Dual Drain
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Flat
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	120 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	1(Min)
Maximum IDSS (uA)	0.5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	2120
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-89
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	3.6
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	5 10V\|2.6 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	186 25V
Typical Rise Time (ns)	4.1
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	13.5
Typical Turn-On Delay Time (ns)	2.6
Вес, г	5