N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IXFH34N65X2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 230 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 6 460 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 34 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 540 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, X2-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Width | 21.45mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFH34N65X2
pdf, 168 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
