SKM75GB12V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
18 000 руб.
от 2 шт. —
17 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги3
Описание
Электроэлемент
IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 114A; Transistor Polarity: Dual Channel; DC Collector Current: 114A; Emitter...
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 114(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Configuration | Dual |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Screw |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Pin Count | 7 |
| Rad Hardened | No |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 114 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS2 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 176 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet SKM75GB12V
pdf, 385 КБ
Документация
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
