BSS169IXTSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

64 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 182 шт. — 51 руб.

от 363 шт. — 47 руб.

от 725 шт. — 46 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 512 руб.

Номенклатурный номер: 8009872708

Артикул: BSS169IXTSA1

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12Ом

Корпус	SOT23-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	2.9Ом
Power Dissipation	360мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	190мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	2.9Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Depletion
Maximum Continuous Drain Current	190 mA
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.8V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Series	BSS169I
Вес, г	0.06

pdf, 1528 КБ

Мы рекомендуем