BUL128D-B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
148 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 400В, 4А, 70Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Base Voltage VCBO | 700 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 9 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 70000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 500V Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.6 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 70000 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BUL128D-B |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 700 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Minimum DC Current Gain | 12 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 230 КБ
Datasheet BUL128D-B
pdf, 224 КБ
Datasheet BUL128D-B
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
