BSC035N10NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 руб.
от 2 шт. —
1 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 280 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC035N10NS5ATMA1 от производителя INFINEON выделяется высокими показателями эффективности и надежности. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе PG-TDSON-8, предназначен для SMD монтажа. Он способен управлять током стока до 100 А при напряжении сток-исток 100 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Имея мощность 156 Вт и очень низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0035 Ом, BSC035N10NS5ATMA1 обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Использование этого компонента гарантирует улучшение производительности ваших электронных устройств. Код продукта для поиска: BSC035N10NS5ATMA1. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 156 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0035 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 156W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Standard Package | 5 |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Width | 6.35mm |
| Вес, г | 0.1627 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1141 КБ
Аналоги микросхем для бытовой РЭА
pdf, 80 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы для бытовой РЭА»
Типы корпусов импортных микросхем
