Транзистор BC846S.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 75 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
Описание Транзистор NPN, биполярный, 65В, 100мА, 300мВт, SOT363
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | BC846S T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 65 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
