MZ-V7S250BW, Твердотельный диск 250GB Samsung 970 EVO plus, M.2, PCI-E 3.0 x4, 3D TLC NAND [R/W - 3400/1500 MB/s] /EU
![Фото 1/10 MZ-V7S250BW, Твердотельный диск 250GB Samsung 970 EVO plus, M.2, PCI-E 3.0 x4, 3D TLC NAND [R/W - 3400/1500 MB/s] /EU](https://static.chipdip.ru/lib/480/DOC005480271.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва
7 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 930 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Комплектующие и компоненты\SSD диски\256 GB
Интерфейс: Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.1 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 970 EVO Plus
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 250
Объем после форматирования, GiB: 229.7
Тип памяти: V-NAND MLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 250
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 150
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.38
Глубина, мм: 80
Тип комплектации: RTL
Технические параметры
| Объем накопителя, ГБ | 250 | |
| Объем памяти | 250 | |
| MTBF | 1500000 ч | |
| Исполнение | Внутреннее | |
| Скорость записи/Скорость чтения Мб/с | 2300/3500 | |
| Тип | SSD | |
| TBW твердотельного накопителя, Тбайт | 150 | |
| Ёмкость накопителя, Гбайт | 250 | |
| Кэш-память | 512 MB | |
| Модель | Samsung 970 EVO Plus | |
| Назначение | Клиентские ПК | |
| Скорость последовательной записи, Мбайт/c | 2300 | |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS | 250000 | |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32), IOPS | 550000 | |
| Средняя наработка на отказ, ч | 1500000 | |
| Тип памяти | MLC | |
| Гарантийный срок | 12 МЕС | |
| Для геймеров | Нет | |
| Максимальная скорость записи | 2300 Мб/с | |
| Максимальная скорость случайного чтения, IOPS | 250000 | |
| Максимальная скорость случайной записи, IOPS | 550000 | |
| Максимальная скорость чтения | 3500 Мб/с | |
| Потребляемая мощность | 8 ВТ | |
| Размер, мм | 22x2x80 | |
| Ресурс работы (TBW) | 150 ТБ | |
| Страна происхождения | Китай | |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч | |
| Код производителя | MZ-V7S250BW | |
| Контроллер | Samsung Phoenix | |
| Объём кэш памяти | 512 Мб | |
| Объём накопителя | 250 Гб | |
| Производитель | Samsung | |
| Ресурс перезаписи (TBW) | 150 ТБ | |
| Скорость записи | 2300 МБ/сек | |
| Скорость чтения | 3500 МБ/сек | |
| Тип флэш-памяти | TLC | |
| Версия PCI-E | PCIe 3.1x4 w/NVMe | |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель | |
| Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 3940 | |
| Высота, мм | 2.38 | |
| Глубина, мм | 80 | |
| Номинальный объем, ГБ | 250 | |
| Объем буфера, МБ | 512 | |
| Объем после форматирования, GiB | 229.7 | |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да | |
| Позиционирование использования | Desktop | |
| Серия продукции | 970 EVO Plus | |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 250 | |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 550 | |
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 | |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 150 | |
| Тип буферной памяти | DDR4 | |
| Тип интерфейса | PCI Express | |
| Тип комплектации | RTL | |
| Ударостойкость при работе, G | 1500 | |
| Ударостойкость при хранении, G | 1500 | |
| Ширина, мм | 22 | |
| Энергопотребление при работе, Вт, max | 8 | |
| NVMe | да | |
| Traceability | N | |
| Наличие PCIE | да | |
| Объем, м3 | 0.0006 | |
| Размер | 80.15x22.15x2.38 mm | |
| Серия | 970 Evo Plus | |
| Скорость записи, Мб/сек. | 2300 | |
| Скорость чтения, Мб/сек. | 3500 | |
| Толщина диска | 2.38mm | |
| Brand | Samsung | |
| Nand Type | MLC | |
| Диапазон температур | 0 →+70°C | |
| S.M.A.R.T. | Да | |
| TDP,Вт | 5 | |
| Адаптер 3.5" | Нет | |
| Аппаратное шифрование | Да | |
| Вариант поставки | BOX | |
| Высота,см | 0.238 | |
| Глубина,см | 0.238 | |
| Дата выхода на рынок | 2019 | |
| Комплект поставки | документация | |
| Максимальная скорость записи, МБайт/с | 2300 | |
| Максимальная скорость чтения МБайт/с | 3500 | |
| Наработка часов на отказ,ч | 1500000 | |
| Объeм буфера,Мб | 512 | |
| Охлаждение | Нет | |
| Поддержка TRIM | Да | |
| Подсветка | Нет | |
| Потребление энергии в режимах Standby и Sleep,Вт | 0.03 | |
| Потребление энергии при чтении/записи,Вт | 5 | |
| Размеры устройств M.2 | 2280 | |
| Скорость последовательного чтения, МБайт/с | 3500 | |
| Скорость последовательной записи, МБайт/с | 2300 | |
| Средняя скорость случайного чтения,iops | 250000 | |
| Средняя скорость случайной записи,iops | 550000 | |
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | |
| Толщина,мм | 2.38 | |
| Цвет | черный | |
| Ширина,см | 2.215 | |
| Энергопотребление (ожидание),Вт | 0.03 | |
| Энергопотребление (чтение/запись),Вт | 5 | |
| Идентификация инициатора проектной закупки ТСТ (Идентификация инициатора закупки | ФГБУ УПРАВЛЕНИЕ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ ЗДАНИЙ ВСЗФО 830452 Комаров Владимир Евгеньевич | |
| Вес, г | 85 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
