SRAM, AS6C4008-55TIN- 4Mbit
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 890 руб.
Описание
Semiconductors\Memory Chips\SRAM
Описание IC: SRAM memory; 512kx8bit; 2.7?5V; 55ns; TSOP32; parallel Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | SRAM |
Технические параметры
Address Bus Width | 19bit |
Low Power | Yes |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Random Access Time | 55ns |
Memory Size | 4Mbit |
Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Bits per Word | 8bit |
Number of Words | 512k |
Organisation | 512k x 8 bit |
Package Type | TSOP |
Pin Count | 32 |
Timing Type | Asynchronous |
Width | 18.4mm |
Access Time | 55ns |
ECCN | 3A991B2A |
HTSUS | 8542.32.0041 |
Memory Format | SRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 32-TSOP I |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 716 КБ
Datasheet AS6C4008-55TIN
pdf, 2738 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары