Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

SRAM, AS6C4008-55TIN- 4Mbit

Фото 1/2 SRAM, AS6C4008-55TIN- 4Mbit
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 890 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 890 руб.
Номенклатурный номер: 8010466436
Артикул: AS6C4008-55TIN

Описание

Semiconductors\Memory Chips\SRAM
Описание IC: SRAM memory; 512kx8bit; 2.7?5V; 55ns; TSOP32; parallel Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SRAM

Технические параметры

Address Bus Width 19bit
Low Power Yes
Maximum Operating Supply Voltage 5.5 V
Maximum Operating Temperature +85 °C
Maximum Random Access Time 55ns
Memory Size 4Mbit
Minimum Operating Supply Voltage 2.7 V
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Bits per Word 8bit
Number of Words 512k
Organisation 512k x 8 bit
Package Type TSOP
Pin Count 32
Timing Type Asynchronous
Width 18.4mm
Access Time 55ns
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 32-TSOP I
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 716 КБ
Datasheet AS6C4008-55TIN
pdf, 2738 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем