IRFIBC30GPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2,5A 35Вт 2,2Ом TO220ISO

Фото 1/4 IRFIBC30GPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2,5A 35Вт 2,2Ом TO220ISO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
от 3 шт.290 руб.
от 10 шт.241 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8010888720
Артикул: IRFIBC30GPBF

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2,5A 35Вт 2,2Ом TO220ISO

Технические параметры

Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRFIBC
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 2200@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 35000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220FP
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 14
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 31(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 31(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 660@25V
Typical Rise Time (ns) 13
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 35
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 279 КБ
Datasheet IRFIBC30GPBF
pdf, 929 КБ
IRFIBC30G Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов