IRFIBC30GPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2,5A 35Вт 2,2Ом TO220ISO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 3 шт. —
290 руб.
от 10 шт. —
241 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2,5A 35Вт 2,2Ом TO220ISO
Технические параметры
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFIBC |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2200@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 35000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 14 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 660@25V |
Typical Rise Time (ns) | 13 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов