IKW15T120
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 960 руб.
от 2 шт. —
2 770 руб.
от 5 шт. —
2 640 руб.
от 10 шт. —
2 504.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 960 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 30А, 110Вт, PG-TO247-3
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Height | 20.9 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW15T120FKSA1 IKW15T120XK SP000013938 |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IKW15T120 |
Technology | Si |
Width | 5.3 mm |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Continuous Collector Current At 25 C | 30 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Pd - Power Dissipation | 110 W |
Product Type | IGBT Transistors |
Subcategory | IGBTs |
Tradename | TRENCHSTOP |
Вес, г | 38 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов