IKW15T120

IKW15T120
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 960 руб.
от 2 шт.2 770 руб.
от 5 шт.2 640 руб.
от 10 шт.2 504.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 960 руб.
Номенклатурный номер: 8010907601

Описание

Электроэлемент
Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 30А, 110Вт, PG-TO247-3

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration Single
Continuous Collector Current Ic Max 30 A
Factory Pack Quantity 240
Height 20.9 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part # Aliases IKW15T120FKSA1 IKW15T120XK SP000013938
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series IKW15T120
Technology Si
Width 5.3 mm
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Continuous Collector Current At 25 C 30 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Pd - Power Dissipation 110 W
Product Type IGBT Transistors
Subcategory IGBTs
Tradename TRENCHSTOP
Вес, г 38

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов