AS4C32M8SA-7TCN, IC: DRAM memory; 32Mx8bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0?70°C

AS4C32M8SA-7TCN, IC: DRAM memory; 32Mx8bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0?70°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 410 руб.
от 5 шт.1 190 руб.
от 25 шт.929 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 410 руб.
Номенклатурный номер: 8011605183
Артикул: AS4C32M8SA-7TCN

Описание

Память SDRAM IC 256 МБ (32M x 8) Параллельный 143 МГц 5,5 нс 54-TSOP II

Технические параметры

Access Time 5.5ns
Clock Frequency 143MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8523.51.0000
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 256Mb (32M x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package 54-TSOP II
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Access Time: 5.4 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 8 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 108
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 143 MHz
Maximum Operating Temperature: +70 C
Memory Size: 256 Mbit
Minimum Operating Temperature: 0 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 32 M x 8
Package / Case: TSOP-54
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: AS4C32M8SA
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 55 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Type: SDRAM
Вес, г 0.56

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1258 КБ
Datasheet AS4C32M8SA-6TIN
pdf, 1314 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем