IRF830ASTRLPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
от 100 шт. —
381 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1400@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 24(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 24(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 620@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
Typical Fall Time (ns) | 15 |
Typical Rise Time (ns) | 21 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | TO-263 |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | D2PAK |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 4.83(Max) |
Package Length | 10.41(Max) |
Package Width | 9.65(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRF830ASTRLPBF
pdf, 251 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов