NTMFSC010N08M7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
от 30 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
178.35 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using an advanced power trench process. advancements in both silicon and dual cool package technologies have been combined to offer the lowest on state resistance while maintaining excellent switching performance by extremely low junction to ambient thermal resistance.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 61 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.01 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN |
| Pin Count | 8 |
Техническая документация
Datasheet NTMFSC010N08M7
pdf, 316 КБ
