BC856BW,135 транзистор: PNP 65V 0,1A hоэ 200-450, 0,2W, 100Мгц

Фото 1/2 BC856BW,135 транзистор: PNP 65V 0,1A hоэ 200-450, 0,2W, 100Мгц
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
0.20 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
Добавить в корзину 10000 шт. на сумму 2 000 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 8012582427
Артикул: BC856BW,135
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

PNP 65V 0,1A hоэ 200-450, 0,2W, 100Мгц

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934021820135
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220 at 2 mA, 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 220 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Вес, г 0.1

Техническая документация

bc856bw
pdf, 231 КБ
Datasheet
pdf, 218 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов