HGTG40N60A4, Транзистор: IGBT, 600В, 63А, 625Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели

1 820 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 820 руб.

Номенклатурный номер: 8012901220

Артикул: HGTG40N60A4

Бренд: Нет торговой марки

Описание Транзистор: IGBT, 600В, 63А, 625Вт, TO247-3 Характеристики

Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	75 A
Continuous Collector Current at 25 C	75 A
Continuous Collector Current Ic Max	75 A
Factory Pack Quantity	30
Gate-Emitter Leakage Current	+/-250 nA
Height	20.82 mm
Length	15.87 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	HGTG40N60A4_NL
Pd - Power Dissipation	625 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	HGTG40N60A4
Technology	Si
Unit Weight	0.225401 oz
Width	4.82 mm
Вес, г	7.83