Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret

Фото 1/3 Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
176 шт. со склада г.Москва
1 220 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 220 руб.
Номенклатурный номер: 8012911173
Артикул: SP004GBSFU266N02
Бренд: Silicon Power

Описание

Комплектующие для компьютеров\Память оперативная\SO-DIMM

Технические параметры

Форм-фактор SO-DIMM
Тип памяти Оперативная память
Объем одного модуля, МБ 4
Количество в упаковке 1
Количество контактов 260-pin
Пропускная способность 21300
Буферизация unbuffered
Латентность CL19
Количество ранков (Ranks) single rank
Тип поставки Ret
PartNumber/Артикул Производителя SP004GBSFU266N02
Модель SP004GBSFU266N02
Бренд SILICON POWER
Высота упаковки (ед), м 0.015
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ, м 0.18x0.17x0.015
Длина упаковки (ед), м 0.18
Напряжение (тест) 1.2В
Объем упаковки (ед), м3 0.000459
Объем, МБ 4096
Показатель скорости PC4-21300
Скорость (тест) 2666МГц
Суммарный объем памяти всего комплекта, ГБ 4
Частотная спецификация 2666
Ширина упаковки (ед), м 0.17
Гарантия 60 мес.
Латентность (CAS) CL19
Объем одного модуля 4 ГБ
Поддержка ECC не поддерживается
Суммарный объем памяти всего комплекта 4 ГБ
Тактовая частота 2666 МГц
Код производителя SP004GBSFU266N02
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Объём памяти 4 Гб
Производитель Silicon Power
Система охлаждения нет
Вес, г 35

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.