SPP21N50C3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 700 руб.
от 2 шт. —
1 570 руб.
от 5 шт. —
1 460 руб.
от 10 шт. —
1 397.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 700 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 560В, 13,1А, 208Вт, PG-TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | PG-TO220-3 |
| Drain current | 13.1A |
| Drain-source voltage | 560V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 208W |
| Technology | CoolMOS™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet SPA21N50C3
pdf, 751 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
