BUK964R2-80E.118

Фото 1/2 BUK964R2-80E.118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 27 шт.250 руб.
Добавить в корзину 12 шт. на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8013766068
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET
Описание TO263

Технические параметры

Корпус TO263
кол-во в упаковке 595
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 349 W
Qg - заряд затвора 123 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.7 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 109 ns
Время спада 115 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 203 ns
Типичное время задержки при включении 70 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 0.4

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов