BUK965R8-100E.118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 30 шт. —
226 руб.
от 125 шт. —
199.63 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 3 640 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание TO263
Технические параметры
Корпус | TO263 | |
кол-во в упаковке | 1800 | |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A | |
Pd - рассеивание мощности | 349 W | |
Qg - заряд затвора | 133 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 168 ns | |
Время спада | 148 ns | |
Другие названия товара № | 934066497118 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 800 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 237 ns | |
Типичное время задержки при включении | 81 ns | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | TO-263-3 | |
Вес, г | 2.225 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов