BUK965R8-100E.118

Фото 1/3 BUK965R8-100E.118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 30 шт.226 руб.
от 125 шт.199.63 руб.
Добавить в корзину 13 шт. на сумму 3 640 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8013766069
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET
Описание TO263

Технические параметры

Корпус TO263
кол-во в упаковке 1800
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 349 W
Qg - заряд затвора 133 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 168 ns
Время спада 148 ns
Другие названия товара № 934066497118
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 237 ns
Типичное время задержки при включении 81 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 2.225

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов