APTGT50DDA120T3G, Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 150 руб.
от 5 шт. —
18 120 руб.
от 10 шт. —
17 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 22 150 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Igbt Transistors\Igbt Module
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Технические параметры
ChannelType | N6994 |
Configuration | Dual6995 |
ECCN | EAR99 |
Family | APTGT50DDA120T3G |
HTS | 8541590080 |
MaximumCollector-EmitterVoltage | 1200V |
MaximumContinuousCollectorCurrent | 75A |
MaximumGateEmitterLeakageCurrent | 0.4uA |
MaximumGateEmitterVoltage | ±20V |
MaximumPowerDissipation | 270000mW |
RoHS | Unknown |
UnitofMeasure | PerEach |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов