BSS84K-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 250 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | -130mA |
Drain-source voltage | -60V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 7Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.225W |
Pulsed drain current | -0.58A |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов