CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6625 шт., срок 7 недель

20 руб.

Кратность заказа 25 шт.

от 100 шт. — 16 руб.

от 500 шт. — 13 руб.

от 3000 шт. — 10.14 руб.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 500 руб.

Номенклатурный номер: 8014215524

Артикул: CDN1308EDL

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Case	SOT323
Drain current	1.1A
Drain-source voltage	30V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate charge	1.4nC
Gate-source voltage	±12V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	CDIL
Mounting	SMD
On-state resistance	0.185Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.3W
Pulsed drain current	6A
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.02

pdf, 583 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем