IXYH25N250CHV, IGBT Transistors 2500V/95A , HV XPT IGBT

Фото 1/3 IXYH25N250CHV, IGBT Transistors 2500V/95A , HV XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 920 руб.
от 10 шт.5 890 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 920 руб.
Номенклатурный номер: 8005250357
Артикул: IXYH25N250CHV
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Решения для медицинского оборудования

Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.

Технические параметры

Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.4 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 95 A
Continuous Collector Current Ic Max: 95 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: +/-100 nA
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247PLUS-HV-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 937 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: High Voltage
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Maximum Collector Emitter Voltage 2500 V
Maximum Continuous Collector Current 95 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 937 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO247HV
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 281 КБ
Datasheet IXYT25N250CHV
pdf, 273 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диодно-тиристорные модули»