MMBFJ176, MMBFJ176 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -25mA, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 126 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
Описание Транзистор: P-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23, 50мА Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Idss Drain-Source Cut-off Current | -2 to-25mA |
Maximum Drain Gate Voltage | -30V |
Maximum Drain Source Resistance | 250 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 15 V |
Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.3mm |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Drain Gate Voltage (V) | -30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
Minimum Drain Saturation Current (mA) | 2 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Drain-Gate Voltage (Max) | -30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 30(V) |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 401 КБ
Datasheet
pdf, 241 КБ
Datasheet J175-D26Z
pdf, 335 КБ
Datasheet MMBFJ175_176_177
pdf, 728 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов