MMBFJ176, MMBFJ176 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -25mA, 3-Pin SOT-23

Фото 1/5 MMBFJ176, MMBFJ176 P-Channel JFET, 15 V, Idss -2 to -25mA, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
42 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 126 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014489242
Артикул: MMBFJ176

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
Описание Транзистор: P-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23, 50мА Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Channel Type P
Configuration Single
Idss Drain-Source Cut-off Current -2 to-25mA
Maximum Drain Gate Voltage -30V
Maximum Drain Source Resistance 250 Ω
Maximum Drain Source Voltage 15 V
Maximum Gate Source Voltage +30 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Width 1.3mm
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Drain Gate Voltage (V) -30
Maximum Gate Source Voltage (V) 30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 225
Minimum Drain Saturation Current (mA) 2
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Drain-Gate Voltage (Max) -30(V)
Gate-Source Voltage (Max) 30(V)
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Rad Hardened No
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 401 КБ
Datasheet
pdf, 241 КБ
Datasheet J175-D26Z
pdf, 335 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов