2N3904TAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 420 руб.
Посмотреть аналоги12
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |