RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

205 шт., срок 6 недель

1 050 руб.

Кратность заказа 5 шт.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 5 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014498885

Артикул: RGT30NS65DGC9

Бренд: Rohm

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.

Channel Type	P
Gate Capacitance	780pF
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Gate Emitter Voltage	30V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	133 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-262
Pin Count	3+Tab
Transistor Configuration	Single
Pd - рассеивание мощности	133 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGT30NS65D(TO-262)
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	30 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Вес, г	1