IRF620SPBF, MOSFET IRF620SPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 125 шт. —
215 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay IRF620S is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 200V.The gate to source voltage(VGS) is 20V.
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Base Product Number | IRF620 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.1A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| RDS-on | 800@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 13 ns |
| Typical Rise Time | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.2 ns |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 140 КБ
Datasheet IRF620SPBF
pdf, 136 КБ
Datasheet IRF620SPBF
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
